フォトマスクとウエハー間を隔した状態で焼き付ける、プロキシミティーマスクアライナーです。
用途に応じ、アライメント時のセパレーション量を0~48μmまで、2μm単位で容易に選択することができます。
焼付け面積は、最大φ125mm(5")まで取ることができます。
また、焦点深度の深いアライメントスコープにより、フォトマスクとウエハーの像を、セパレーション状態で
シャープに観察できます。
焼付け方式を、簡単なスイッチ操作でハードコンタクト方式(真空方式)、あるいは
ソフトコンタクト方式に切り換えることができます。
目的のデバイス (パターン内容) |
FET作製のための各プロセス(素子分離、エッチング、電極蒸着)のマスクパターン形成のため |
---|---|
基板サイズ | 2インチもしくはそれ以下のサイズにカットされたウェハ |
使用レジスト | ポジレジスト |